![异质结原理与器件](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/27/681027/b_681027.jpg)
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1.2 异质结基本关系式
两种材料的导带带阶ΔEC和价带带阶ΔEV,是异质结特有的重要参数,由图1-1可以看出,它们和电子亲和能之间的关系为
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0003.jpg?sign=1739253942-1laQIK4XLL32Qmp7I5Ufue0jbvlfHIbe-0-1eab76ae24113fcd4fa1361cc9139402)
ΔEC与ΔEV之和等于两种材料禁带宽度之差,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0004.jpg?sign=1739253942-EFIwR2PfmaAyLVaJ97Eg49fqaREGEvHd-0-c7bb58a328e190f53c999d00675dde0a)
真空电子能级的弯曲度qVD等于两种材料功函数之差,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0005.jpg?sign=1739253942-LZwqaNLDjAdHEvuRKdS8pPOBwi7i69ok-0-d94a67e527edaccb07f1fafe37c57cb0)
其中,VD是异质结的内建电势差,又称接触电势差或扩散电势。VD1和VD2分别是界面两侧两种半导体材料中的内建电势差,它们之间的关系为
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0006.jpg?sign=1739253942-6uoQJ7PBXNjJUM74MjNKdEcJu8tooRPi-0-fd0ece37bc02712efd79677aba9a9500)
因为功函数与费米能级有关,因此内建电势差VD是通过费米能级求解的,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0007.jpg?sign=1739253942-y3MIaqXNd231GCZ02GDAr2LvfBlPaHfY-0-25e681c930fa9dfaa689fa57ae09786b)
费米能级由电中性条件决定,通常不能给出解析表达式,但对非简并半导体,当杂质全部电离时有
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0018_0001.jpg?sign=1739253942-AHEXUzCKlwGefw4X6F0AkRygjdEmko56-0-c85735060dbaf1625bfe4ef342195cfb)
其中,NA1和NV1是带隙较小材料的受主杂质浓度和价带有效态密度,ND2和NC2是带隙较大材料的施主杂质浓度和导带有效态密度。