美国制造业产业政策透视:以半导体产业为例
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三、20世纪80年代,美国面临日本的竞争并积极应对

为了发展半导体业,从20世纪60年代开始日本就采取了半导体技术转让政策,要求进入日本市场的外国公司与当地企业组建合资企业,以促进知识扩散。该政策在很大程度上取得了成功。20世纪70年代,日本半导体业开始迅速发展,到80年代,已经对美国形成竞争压力,美国不得不采取应对举措。

(一)日本对美国形成巨大的竞争压力

20世纪六七十年代,除了半导体制造技术,美国其他半导体技术发展得也非常迅速。例如,1961年美国GCA(Geophysical Corporation of America)公司制造出了第一台接触式光刻机,其掩膜版与光刻胶图层直接接触,光线透过掩膜进行曝光时可以避免衍射。不久,GCA又制造出了接近式光刻机,其掩膜和表面光刻胶之间存在微小空隙。美国另一家公司珀金埃尔默(Perkin Elmer)在1973年推出了世界首台投影式光刻机Micralign100。1978年,GCA公司推出了首款步进式光刻机DSW 4800,其结构相对简单,成本相对较低,性能更加稳定,并迅速占领了70%的市场。又如,1966年,IBM公司率先发明了DRAM。这种存储器具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点,是计算机内存、手机内存、显卡内存等的基础技术。1968年6月,IBM注册了DRAM专利,但因司法部对其展开反垄断调查,IBM对DRAM产业化的进程受到影响。同年,仙童创始人罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔(摩尔定律的提出者)等人共同创办了英特尔公司(Intel),其主要业务就是研制DRAM芯片。1969年,加州的先进内存系统公司(Advanced Memory System)也成功生产出世界上第一款DRAM芯片。于是,美国的DRAM产业也迅速发展起来。

面对美国技术的快速进步,日本官员认识到自身技术落后面临的危险,希望建立一个更统一、更综合的超大规模集成电路技术开发组织。1976年,通产省投资3亿美元与日本五大计算机公司:富士通、日立、日本电气、三菱电机和东芝建立了名为“超大规模集成电路技术研究协会”的研究组合,承担超大规模集成电路计划(Very Large Scale Integration Circuit, VLSI)的公私联合技术研究项目。研究组合的最高领导决策机构是理事会,由5家公司的领导及通产省的官员构成。通产省所属的电子技术综合研究所牵头,与5家公司联合在日本神奈川县设立了共同研究所,从事超大规模集成电路技术开发所需的具有最根本性、基础性、共同性研究,商业化开发则由各公司独自承担。共同研究所设立了六个实验室,确立了六项课题:微精细加工技术;结晶技术;设计技术;工艺技术;检验评价;元件技术。[12]同时,明确了各家机构的研究重点,如,富士通负责研发可变尺寸矩形电子束扫描装置,日立负责研发电子束扫描装置和微缩投影紫外线曝光装置,东芝负责研发电子束扫描装置和制版复印装置,通产省电子技术综合研究所负责对硅材料进行技术开发,三菱电机负责研发工艺技术和投影曝光装置,日本电气负责进行封装测试和评估研究。这个联合研究项目的研究内容纵向覆盖了半导体产业各关键环节,为行业内企业提供了一个共同的技术开发平台,有利于彼此间协同工作并共享信息,加快推动创新。除了最初参与的几家机构,其他涉及半导体制造设备和原材料生产的日本公司也加入了VLSI计划,推动了与半导体设计和制造相关的各种新发明。VLSI计划开展的联合研究工作产生了1000多项专利申请,其中16%由不同公司的成员合作完成[13]

这个联合研发体成功攻克了电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备,以及领先的工艺和半导体设计能力,为日本半导体行业的腾飞奠定了基础。20世纪80年代初,美国的珀金埃尔默和GCA公司主导着全球光刻机市场,但是到80年代中后期,珀金埃尔默的市场份额因日本的冲击从30%骤减至5%,被迫将半导体光刻机事业部卖给了硅谷集团(Silicon Valley Group, SVG),SVG在2001年又被阿斯麦以16亿美元收购。相反,在VLSI计划的协助下,日本设备企业发展迅速。1980年,尼康推出了首台步进式光刻机,1984年尼康的出货量基本和GCA打平。1980年,佳能也推出了自己的首款步进式光刻机。1985年,在光刻机市场,尼康超过了GCA,特别是在日本市场,拿到了65%的市场份额。20世纪70年代后期,美国供应商曾占据全球近90%的市场份额,然而,到1989年,日本公司却占据了全球70%的市场份额,成为主要的半导体设备生产国之一。

在VLSI计划的帮助下,1977年,日本也成功研制出了64K DRAM,追平了美国公司的研发进度。到80年代,日本厂商(富士通、日立、三菱、NEC、东芝等)继续发力,凭借质量和价格优势,开始反超美国公司。1986年,日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%,而美国则降低至30%。美国学者认为,日本的DRAM芯片生产有两个主要优势。其一,日本企业专注于提高制造质量,并形成了诸多创新性的管理方法,以至于后来美国企业高管开始拜访日本企业学习其精益制造等方法。其二,日本企业受益于较低的资金成本。20世纪70年代末到80年代初,美联储一直实施货币紧缩政策,通过提高利率以降低通货膨胀率。但日本银行却存款充裕,贷款利率较低,加上日本厂商的高强度投资,很快取得了领先优势。东芝和NEC等日本企业生产的DRAM芯片与美国生产的一样先进,但价格较低,缺陷率也更低。一项研究发现,日本DRAM芯片的平均缺陷率是美国的十分之一[14]。当时,日本产业链上下游相关企业习惯于组织为密切协作的“经连会”(keiretsu),便于彼此间加强技术研发与协作,且它们往往都与同一家大银行建立融资关系,银行可以根据供应链的业务情况及时提供融资。

日本的半导体产品从20世纪70年代开始通过贸易进入美国市场。从1981年到1984年,美国从日本进口的半导体产品几乎每年翻一番,而美国的半导体产品则很难进入日本市场。随着日本半导体业的崛起,美国半导体企业节节败退。技术上,作为半导体产业发源地的美国也仅仅在微处理器、专用逻辑电路等方向上保持领先,而日本已经在DRAM、SRAM(静态随机存储器,Static Random Access Memory)、双极电路、存储元件、光电子、砷化镓和硅材料等关键技术上都开始领先于美国,且日本的良品率远远高于美国。在日本的竞争下,曾经占有DRAM市场80%份额的英特尔不得不关闭工厂并裁员,最终于1985年彻底退出了DRAM市场,市场上仅剩德州仪器与美光(Micron)两家美国内存厂商。美国厂商在全球DRAM市场上的份额则从最高时的95%跌落到1990年的2%[15]。美国半导体制造设备供应商以每年3.1%的速度失去市场份额,半导体制造商从本国设备生产厂家所购买的制造设备不足40%,甚至连“硅谷之星”仙童半导体都传出要被日本企业收购的消息。

面对这一局面以及美国半导体行业协会(SIA)的游说,美国威胁对日本进口产品征收关税,并于1986年与日本达成一项协议,授权美国政府为日本芯片设定最低公平市场价格,同时还将日本半导体市场上外国产品的份额从10%提高到20%。由于进展不明显,1987年4月,美国对从日本进口的3亿美元产品征收100%的关税,其中1.35亿美元是针对日本对第三国的倾销,1.65亿美元是针对美国产品缺乏进入日本市场的准入。其中,对1.65亿美元进口商品征收的关税一直延续到1991年,直到美国产品在日本市场的销售最终接近20%的目标时,双方才重新谈判并修改协议。协议的相关规定使得日本芯片供应量受限,而大多数美国芯片制造商因竞争力不敌日本而被迫退出市场。美国DRAM生产商唯一剩下的美光通过创新降低了成本,赢得了市场份额;光刻机巨头GCA被迫于1987年年初退市;1988年,General Signal以7600万美元收购了陷入财务困境的GCA,但最终也没能挽救GCA[16]。随着供应量的下降,芯片价格逐步上涨,为韩国、中国大陆及中国台湾的企业加入市场竞争创造了条件。

(二)美国积极培育日本的竞争对手

在对日本采取贸易压制措施的同时,美国为了打压日本并降低对日本的依赖,积极培育日本的竞争对手——韩国、中国大陆及中国台湾的企业。韩国半导体业的发展最初源于20世纪60年代美国企业外包的组装、测试和封装业务,80年代美、日两国在DRAM领域达成的较高协议价格为韩国企业的进入提供了空间。三星等韩国企业在政府扶持下采取更激进的投资策略、高薪聘请国外人才,并借助美国的技术授权迅速发展起来。1982—1986年,韩国与美国签订了36笔技术转让合同;到1985年,韩国的三星、LG、现代在美国硅谷投资10亿美元用于深化与美国半导体技术、人才和业务合作[17]。相应地,韩国半导体产品在美国进口市场的份额从1988年的8%左右扩大到1989年的15%,并在1995—2000年达到顶峰,占美国进口市场的16%~18%。[18]随之,三星、SK海力士等企业成功崛起,韩国也在90年代初成为东亚半导体的重要产地。1992年,美国政府又对韩国DRAM芯片征收反倾销税。

在这一过程中,日本也出现了策略失误,没有跟上产业发展的形势,竞争力开始下滑。日本制造商习惯于为大型计算机生产质保期高达25年的高品质DRAM,并将其直接当作小型电脑用DRAM(只需5年质保期)进行销售。日本64MB的DRAM掩膜数是韩国、中国大陆、中国台湾的1.5倍,是美光的2倍[19],显然存在质量过剩、价格过高的问题。即使日本知道三星通过小型电脑用DRAM扩大市场占有率,也依然坚持生产高品质DRAM,因为其主要客户依然是大型电脑制造商。最终,这种做法影响了自身竞争力。

中国台湾的半导体技术同样源自美国。20世纪60年代,通用仪器、飞利浦和德州仪器等企业就在中国台湾设立了组装和封装工厂。1973年,中国台湾成立了工业技术研究院(简称“工研院”),1975年与美国无线电公司(Radio Corporation of America, RCA)达成技术转让协议。虽然美国无线电公司给中国台湾提供的是落后几代的设备,但由于美国无线电公司后来退出半导体行业,中国台湾便完全获得了其互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)技术许可。当时,该技术仍处于早期开发阶段,之后却很幸运地成为主流工艺方法。工研院充分消化该技术后,1980年,中国台湾便设立了生产企业——联电,工研院负责对其转让技术,并在工厂招聘和培训工程师方面发挥了积极作用。联电投产运营后,经济效益非常好,但技术上与外国公司仍有明显差距。1987年,中国台湾又力邀德州仪器的张仲谋设立了台积电。虽然中国台湾当局为创建台积电提供了大量资金,但规定仅持有该公司50%的股份,并允许荷兰飞利浦电子持有35%的股份,条件是飞利浦需要提供其先进的1.5微米制造工艺[20]。20世纪90年代,中国台湾对美国的半导体产品出口稳步增长,1989—1997年增长了近5倍,占美国进口市场的9%。1997年,美光对从中国台湾进口的一种内存产品——SRAM提起了倾销诉讼。随后,美国对中国台湾半导体产品征收90%以上的关税,且一直持续到2002年。[21]

在光刻机领域,美国通过扶持荷兰的阿斯麦来对抗日本。1997年,美国能源部与英特尔牵头成立了极紫外线(Extreme Ultra-Violet, EUV)光刻机技术联盟,联盟成员包括能源部下属的三大国家实验室,以及摩托罗拉、超威半导体、IBM等知名科技公司。1999年,美国能源部允许荷兰的阿斯麦加入该联盟,以便其参与研发并共享研究成果,而尼康、佳能则被禁止进入该联盟。2001年,美国外国投资委员会允许阿斯麦收购美国硅谷集团光刻机业务,使阿斯麦得以掌握该公司的专业镜片技术,成为全球最大的光刻机供应商。后来,阿斯麦顺利研发了第一台EUV光刻机,并击败了日本企业成为全球光刻机霸主。为了避免美国打压,阿斯麦则允诺在美国设立工厂与研发中心,并承诺在销往美国的EUV设备中使用55%的美国零部件[22]

美国在技术上掌控相关企业的同时,在金融上也掌握了较高的控制权。从股权结构看,尽管三星未在美国上市,但其股份的28%由美国投资者所掌握,而韩国投资者占42%的份额;美国资本在阿斯麦的股权结构中更是占据50%,相反,荷兰投资者在其中所占份额还不到1%;台积电、联发科、SK海力士、英飞凌、华虹等全球知名半导体企业都通过各种方式在美国融资,接受美国的金融监管。此外,美国是世界上第二大芯片消费国,是很多高端芯片的最大需求方,对相关企业拥有巨大的买方市场地位。美国凭借技术、金融、市场三重力量,在生产制造被分散至其他国家的情况下,仍掌握了产业霸权。

(三)建立半导体制造技术研究联合体以提高制造技术

在与日本进行贸易谈判时,美国不断对日本施加压力,称日本政府支持半导体发展的产业政策很不合理。同时,与日本谈判的美国代表克莱德·普雷斯托维茨却对美国政府表示“我们虽然指责日本政府的目标产业政策不合理,但作为国家的大政方针,这个政策是完全正确的。所以,美国政府应该采取和日本相同的政策措施”。[23]1987年,美国国防科学委员会在一份报告中也指出,美国半导体公司在大规模制造的工艺技术上已经落后,这对美国国家利益构成严重威胁,建议政府与产业界联合建立一家生产半导体元部件的工厂。同时,美国半导体行业协会也建议政府设立半导体制造技术研究联合体(Semiconductor Manufacturing Technology Research Consortium, SEMATECH)。此前,1984年,美国通过《国家合作研究法案》,大大削弱了反垄断法在企业合资研究中的适用范围,也为SEMATECH的设立扫清了法律障碍。

1987年8月,美国政府仿效日本的经验,由美国国防部和半导体行业协会共同牵头成立了SEMATECH。这是一个公私合作技术研究组织,成员包括占美国半导体产业产值80%的11家企业(后增加至14家),如英特尔、IBM、美光、惠普、AT&T、摩托罗拉等。1988年,美国政府通过《技术竞争力法》,规定建立“先进技术计划”(Advanced Technology Program, ATP),即由政府向私营企业研究联盟提供有限的资金,帮助他们发展在世界市场上更有竞争力的新技术,并将美国国家标准局的名字改为美国国家标准与技术研究院(NIST),由其负责监管ATP计划的实施。[24]这相当于从法律上确认了政府对SEMATECH支持的合法性。SEMATECH设立时,在得克萨斯州奥斯汀市建立了总部,以类似公司化的方式独立运营。从管理结构看,尽管SEMATECH有50%的政府资助,但它是由半导体行业的高级主管和经理领导的,注重为合作伙伴提供技术指导、经验丰富的管理和良好的灵活性。虽然DARPA参与管理,但只在SEMATECH董事会中拥有一个无投票权的席位,对其实施松散监督。此外,SEMATECH每年还要接受政府问责办公室的绩效评估。

在总部旁边,SEMATECH建立了一个半导体制造技术试验基地,随时进行新技术的生产试验。DARPA参与SEMATECH的设立,并选择了仙童和英特尔公司的创始人、美国半导体行业协会主席罗伯特·诺伊斯担任第一任CEO。诺伊斯在半导体业背景深厚,有丰富的人脉和管理经验,被尊称为“硅谷之父”。诺伊斯凭借其平易近人、务实专业的领导风格及其产业地位,使各企业愿意提供资金和研发人员,与具有竞争关系的同行共享。他将各创始成员出于自身利益提出的初始研发意向,整合提炼成了切实可行的研发方案,并确定以半导体设备为研发重点。

专栏1-1:SEMATECH以半导体设备为研发重点

SEMATECH最初制定的目标是为各成员公司共同开发和改进工艺提供一个制造中心,并资助技术最前沿的研究工作。这一成员公司之间的“水平合作”模式有一大缺点,即它不利于成员公司保守各自的技术秘密,而且让技术各有专长、技术水平又参差不齐的公司在制造工艺技术上合作,效果也不理想。

1990年前后,SEMATECH的核心目标转向半导体设备的开发,它与设备供应商之间有四种互动(合作)方式:委托开发新设备;改进现有设备;统一制定下一步的技术发展战略;加强信息交流这四种方式。其中,最重要的是新设备开发。1991年,设备开发占总预算的60%。开发工作以“共同开发项目”的名义由设备公司承担,并得到SEMATECH的支持。统一的资金支持与质量检验减少了重复研究和重复投资,从而减少了设备开发的成本,同时它还纠正了美国半导体工业过去在产品设计上各自为政的倾向,增加了维修、软件等互补型产品和服务的供给。用户对于设备的熟悉程度较以前也大为提高,因而有利于加速美国半导体制造公司采用新型工艺设备的进程。设备改进工作可在SEMATECH的制造中心或各个成员公司进行,成果则及时通知设备制造商和其他成员公司,使得各个公司可以同步地展开新设备的开发工作,从而大大缩短了新设备的开发周期,并对设备标准的制定具有重要意义。

SEMATECH通过强调芯片制造商与设备供应商之间的“垂直合作”关系,将重点聚焦在各成员公司共同感兴趣的公共技术知识上,而不必担心泄露自己的技术秘密。公共技术研发的知识产权也可以一定的转让费和专利使用费,向所有的美国公司开放,促进整个行业发展。SEMATECH为复杂的半导体制造设备制定了统一的质量认证程序,提高了设备的可靠性,增加了制造商对美国设备的购买需求。1991年的一项调查表明,本来半导体制造公司所需的新设备中,只有40%打算向美国设备公司购买,最后这一比例上升到70%。SEMATECH也加强了半导体制造商之间的合作,美国半导体产品的全球份额也迅速提高。

资料来源:和文凯,曾晓萱.美国半导体制造技术研究联合体——SEMATECH.科研管理,1995(3):58-63.

SEMATECH尽管是由美国产业界发起成立的非营利组织,但其管理和运行却是由美国政府和产业界共同实施的。DARPA代表美国政府成为SEMATECH的管理机构,并为其设置了专项经费,每年1亿美元。SEMATECH的首个授权运营期是5年(1988—1992年),除DARPA投入的1亿美元外,各创始成员每年再集资1亿美元,5年共10亿美元预算。除了投入经费,美国政府主要负责协调美国国防部所属机构与成员企业的关系,并以SEMATECH董事会和技术顾问委员会成员的身份制定规则、监督管理,以及评价技术进步状况等。SEMATECH有一个中心管理机构,其研究人员和管理人员都来自各成员企业。该机构并不参与具体产品的设计与制造,也不为具体产品进行专门的工艺研究,而是将这些问题留给各公司自己解决。SEMATECH的使命是开展应用研究,在工厂环境中改进、完善、标准化及展示制造工艺和工具,使美国企业重新获得CMOS制造技术的世界领先地位。

SEMATECH的研发工作集中在光刻工艺(包括步进机、光刻胶、掩模制作和计量)、多级金属(蚀刻、平面化和沉积),以及制造系统和工艺集成等工艺技术上。20世纪80年代末,SEMATECH预算中约有一半用于先进光刻机研发,包括投入超过7000万美元资助GCA开发KrF步进式光刻机,但是没有取得成功。从这个角度来看,SEMATECH项目失败了。相关工具或材料企业也持类似观点,如负责研发半导体检测设备的加利福尼亚科磊公司(KLA)不认为SEMATECH的支持对其工具开发重要,最大的半导体工具制造商应用材料公司也认为,SEMATECH对其业务几乎没有任何影响。但是,SEMATECH在半导体设计和制造工艺方面取得了技术突破,使濒临崩溃的行业依托共用的基础设施和研发路线重新凝聚起来,使美国半导体制造商能够在技术上与竞争对手日本平起平坐,并在今后几十年保持竞争力。到1995年前后,美国在全球市场的份额超过日本,重新回到领先地位。1996年,SEMATECH董事会投票取消了美国政府的配套资金,DARPA退出对SEMATECH的管理。此后,SEMATECH逐渐成为一个纯行业性质的组织,开始吸纳国外的会员单位,由一个美国半导体行业组织扩展为国际半导体行业组织。就这一点而言,绝大多数人认为SEMATECH发挥了重要作用,认为该政策是成功的。[25]由于半导体行业的整合,2015年,SEMATECH与纽约州立大学理工学院合并,并超越半导体技术,关注更广泛的绿色能源、电力电子和生物等技术的研究、开发和商业化。[26]

SEMATECH之所以取得成功,有多方面的原因,概言之,包括以下几方面[27]

其一,制定明确的目标和路线图。SEMATECH从一开始就制定了一个雄心勃勃但可实现且设计精确的目标——到1993年在基于0.35微米设计规则的硅基CMOS制造领域恢复世界领先地位,但实际上到1992年市场份额就与日本持平。到1993年,美国设备制造商能够完全使用美国工具制造0.35微米节点的芯片。更重要的是,SEMATECH创新性地提出了国际半导体技术路线图,对行业发展起到指引作用,有助于维持摩尔定律预期的效率提升。

其二,开发通用标准。SEMATECH通过开发通用标准工具,使以前不兼容的工具和软件能够互操作,降低了设备及工具和材料企业的成本和运营负担。特别是,SEMATECH有助于美国企业开发和部署计算机集成制造,大大提高了生产效率。

其三,促进成员绩效提高。SEMATECH引入了一个“盲标杆”系统,成员企业可以在匿名的基础上与其他企业的绩效指标进行比较。这给落后者敲响了“警钟”,促使其采取措施改善运营。例如,“钢铁侠”项目就促进了设备制造商对工具性能的基准测试。SEMATECH建立了专业团队,识别特定工具的常见问题,并共享工具信息以提高运行效率,促使制造产量和质量稳步提高。

其四,支持供应链。SEMATECH加深了设备制造商与上下游企业之间的合作关系,建立了一种被称为SEMI-SEMATECH的持续合作工具。SEMATECH为供应商定义了技术目标,使其能够将开发工作集中在几个可明确理解的目标上,并为供应商提供了在工厂环境中进行测试、评估并改进其设备的机会。

其五,降低成本和风险。SEMATECH使成员企业能够通过共同努力降低研究成本,更重要的是,该联盟在真实的工厂环境中进行新设备和流程的竞争前调试,可以大大降低与制造投资相关的风险。当成员投资自己的新设施时,他们可以直接使用验证过的设备和工艺,加速整个行业的发展,使其能够超越竞争对手日本。

其六,利用联邦实验室。联邦实验室集中代表了大量高质量的专业知识和研究基础设施,有助于恢复美国在半导体制造领域的领导地位。SEMATECH促进了行业和联邦实验室的密切合作,这对设备制造商特别有价值。


[1] 乔纳森·格鲁伯,西蒙·约翰逊.美国创新简史:科技如何助推经济增长.穆凤良,译.北京:中信出版集团,2021.

[2] STEPHEN EZELL.An Allied Approach to Semiconductor Leadership,2020.09.

[3] 乔纳森·格鲁伯,西蒙·约翰逊.美国创新简史:科技如何助推经济增长.穆凤良,译.北京:中信出版集团,2021.

[4] GABRIELLE ATHANASIA.The Lessons of Silicon Valley:A World-Renowned Technology Hub,2022.02.

[5] CHRIS MILLER.Rewire:Semiconductors and U.S.Industrial Policy,2022.09.

[6] 李寅.重塑技术创新优势?——美国半导体产业政策回归的历史逻辑.文化纵横,2021(4):50-60,158.

[7] MARTIJN RASSER,MEGAN LAMBERTH,HANNAH KELLEY,et al.Reboot:Framework for a New American Industrial Policy,2022.05.

[8] NICK SPALL.How the Apollo Moon landings changed the world forever,2019.07.

[9] 威廉姆·邦维利安,彼得·辛格.先进制造:美国的新创新政策.沈开艳,译.上海:上海社科院出版社,2019.

[10] MARTIJN RASSER,MEGAN LAMBERTH,HANNAH KELLEY,et al.Reboot:Framework for a New American Industrial Policy,2022.05.

[11] I.E.SUTHERLAND,C.A.MEAD,THOMAS E.EVERHART,"Basic Limits in Microcircuit Fabrication Technology",RAND,1976.11.

[12] 樊春良.全球化时代的科技政策.北京:北京理工大学出版社,2005.

[13] CHRIS MILLER.Rewire:Semiconductors and U.S.Industrial Policy,2022.09.

[14] CHRIS MILLER.Rewire:Semiconductors and U.S.Industrial Policy,2022.09.

[15] DAVID T.METHE.Technological Competition in Global Industries:Marketing and Planning Strategies for American Industry.Praeger Publishiers,1991,69.

[16] 1993年1月,General Signal宣布其打算剥离其半导体设备公司。1993年5月,因为没有找到买家,General Signal关闭GCA.

[17] 李巍,李玙译.解析美国的半导体产业霸权:产业权力的政治经济学分析.外交评论(外交学院学报),2022,39(1):5-6,22-58.

[18] CHAD P.BOWN.How the United States marched the semiconductor industry into its trade war with China,2020.12.

[19] 汤之上隆.失去的制造业:日本制造业的败北.林曌,等译.北京:机械工业出版社,2015.

[20] MARTIJN RASSER,MEGAN LAMBERTH,HANNAH KELLEY,et al.Reboot:Framework for a New American Industrial Policy,2022.05.

[21] CHAD P.BOWN.How the United States marched the semiconductor industry into its trade war with China,2022.12.

[22] 李巍,李玙译.解析美国的半导体产业霸权:产业权力的政治经济学分析.外交评论(外交学院学报),2022,39(1):5-6,22-58.

[23] 汤之上隆.失去的制造业:日本制造业的败北.林曌,等译.北京:机械工业出版社,2015.

[24] 樊春良.美国技术政策的演变.中国科学院院刊,2020,35(8):1008-1017.

[25] CHRIS MILLER.Rewire:Semiconductors and U.S.Industrial Policy,2022.09.

[26] STEPHEN EZELL.An Allied Approach to Semiconductor Leadership,2020.09.

[27] SUJAI SHIVAKUMAR,CHARLES WESSNER,THOMAS HOWELL.The Pillars Necessary for a Strong Domestic Semiconductor Industry,2022.05.